Englishนายกาญจน์ รองเรืองกุล และ นายปณิธาน ศรีสินทรัพย์ นำเสนอผลงานเรื่อง “InSb/InAs Nano-Stripes” แบบบรรยาย นางสาวพุธิตา เล็กวงษ์เดิม นำเสนอผลงานเรื่อง “Raman Spectroscopy of InSb/GaSb Nano-Stripes” และ นายอิงฤทธิ์ รัตนวงศ์นรา นำเสนอผลงานวิจัยเรื่อง “Raman Shift of Twin InSb/GaAs Nano-Stripes in Magnetic Field” ในการประชุมวิชาการนานาชาติด้าน Molecular Beam Epitaxy ครั้งที่ 20 ที่เมืองเซี่ยงไฮ้ สาธารณรัฐประชาชนจีน ทั้งหมดเป็นนิสิตปริญญาตรีของคณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ในการประชุมฯเดียวกันนี้ อ. ดร.อนิวรรตน์ ตันเดชานุรัตน์ และ รศ. ดร.สุวิทย์ กิระวิทยา ยังนำเสนอผลงานวิจัยเรื่อง “Interdigitated Quantum Dot Solar Cells” และ “InSb/GaAs Nano-Stripes on Germanium” แบบบรรยายตามลำดับ ผลงานวิจัยทั้งหมดจะตีพิมพ์ในวารสารวิชาการนานาชาติต่อไป
รายละเอียดของการประชุมวิชาการ International Conference on Molecular Beam Epitaxy ครั้งที่ 20 (ICMBE 2018)
จัดขึ้นระหว่างวันที่ 2 – 7 กันยายน 2561 ณ เมืองเซียงไฮ้ ประเทศสาธารณรัฐประชาชนจีน
การประชุม ICMBE 2018 เป็นกิจกรรมที่นำกลุ่มผู้เชี่ยวชาญในระดับนานาชาติมาร่วมพบปะพูดคุย รายงานและนำเสนอผลการวิจัยและพัฒนาใหม่ ๆ ในทั้งด้านการวิจัยพื้นฐานและการวิจัยประยุกต์ที่เกี่ยวข้องกับการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล โดยรวมถึงการรายงานความก้าวหน้าด้านเทคนิคและการสร้างวัสดุใหม่ ๆ การค้นพบคุณสมบัติใหม่ ๆ การสร้างและเกิดโครงสร้างวิวิธพันธุ์ (heterostructure) ใหม่ ๆ และการพัฒนานวัตกรรมด้านสิ่งประดิษฐ์โดยหัวข้อของการนำเสนอแบ่งเป็น (มีขอบเขตหัวข้อ คือ)
– พื้นฐานของการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล
– สารประกอบกึ่งตัวนำหมู่สาม-ห้า
– สารประกอบกึ่งตัวนำหมู่สอง-หก หมู่สี่-หก หมู่สี่ และ ออกไซด์
– ไนไตรด์และสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง
– นาโนไวร์และควอนตัมด็อต
– สปินโทรนิกส์และวัสดุอุบัติใหม่
– อิพิแทกซีแบบวิวิธพันธุ์
– สิ่งประดิษฐ์และการผลิตด้วยเครื่องปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล
เนื้อหานำมาจากเว็บไซต์ของการประชุม คือ http://mbe2018.csp.escience.cn/dct/page/70004
